芯片载体材料:Chipcarrier，亦称为封装载板或封装基板，是IC的关键材料，

　　焊盘以周边阵列形式分布在芯片表面，单个I/O可达1000个，最小焊盘节距40

　　相比于WB技术，具有优异的电学性能和热学性能，可支持更高的I/O数，封装

　　缩短互连长度，降低电阻，减小RC延迟，改善电学性能。散热j6国际性好，降低热阻。

　　日本揖斐电株式会社(Ibiden)、新光电气工业株式会社(Shinko)、京瓷集团(Kyocera)为

　　1.陶瓷基板：最初选用材料，支持较高密度I/O，性能稳定，热膨胀系数与硅接近，

　　优点：价格低、综合性能好、气密性好、可靠性好，热导率仅为20W/m·K，介

　　电常数约为10，需要改良。易实现多层化，主要用于高速器件封装，如高频器件输入

　　是高密度、大功率电子封装理解载陶瓷板。应用于高频器件，高亮LED，半导体激光

　　SiC，机械强度仅次于金刚石，具有优良耐磨性和耐腐蚀性，热导率同于Cu，CTE与

　　2.金属基板：以Al、Cu、Fe、Mo等金属板基板，在基材上制造绝缘层和

　　片级封装。WB-BGA，通用芯片封装；FC-BGA，处理器及南北桥芯片；

　　复合制成。BGA、CSP、COF，产品LED/LCD，触控屏、计算机硬盘、光

　　4.硅/玻璃基板（中介转接层）：基于封装通孔TPV的Interposer，可实现个芯片之间互

　　连和再布线，将芯片IO数减少后再连接到传统基板或PCB上。用于GPU、FPGA、

　　分为硅、玻璃及有机体系三类。要求高热导率、低CTE、低介电常数。硅、玻璃转接

　　硅中介层优点：可埋电阻及有源器件，可通过掺杂使其起到接地作用，省去金属化，

　　玻璃中介层优点：绝缘材料，省去绝缘层工艺且高频传输更优、CTE可调、成型性好、

　　精减薄：CMP技术，削除应力，60 mm/min，粗糙度小于0.1 mm。

　　CMP去除介质工艺：刻蚀技术，使TSV内部铜柱相对于硅衬底凸出（2~10 mm ），利用

　　PECVD沉积介质层，CMP或刻蚀技术将TSV上方沉积介质层去掉，暴露铜柱。铜污染相

　　无铜污染刻蚀去除介质层工艺：刻蚀技术，使TSV内部铜柱相对于硅衬底凸出（2~10

　　mm ），利用低温PECVD沉积介质层并旋涂光刻胶，利用背部光刻技术对光刻胶开窗。

　　减薄去除介质层工艺：TSV底部介质层在减薄中去除，刻蚀技术，使TSV内部铜柱相对于

　　硅衬底凸出（2~10 mm ），利用低温PECVD沉积介质层，利用CMP或刻蚀技术将TSV上

　　方沉积介质层去除，直接将TSV抛光到同一高度。硅会被铜污染，导致器件失效。

　　湿法刻蚀：化学试剂(HF、HCl、IPA)反应，各向同性，尺寸大，深宽比小。

　　联；日本Asahi Glass用铜膏进行玻璃孔填充；泰库尼斯科公司和NEC

　　减成工艺制造成本低，工艺成熟、稳定、可靠，适用于大规模生产对线mm以上）的基板产品，目前应用十分广泛。

　　感光抗蚀分辨力和抗蚀层厚度密切相关。厚度越j6国际小，越容易实现精细布线mm的干膜比较困难，采用湿膜工艺可以制造出5mm的厚膜，但湿