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　　本人主要从事IC封装化学材料(电子胶水)工作,为更好的理解C封装产业的动态和技术,自学了《电子封装材料料

　　与工艺》,貌似一本不错的教材,在此总结出一些个人的学习等记和大家分享。此笔记原发在本人的“电子胶水学习

　　1、原子结构:原子是由高度密集的质子和中子组成的原子核以及围绕它在一定轨道(或能级)上旋

　　转的荷负电的电子组成( Neils Bohr于1913年提出)為当原子彼此靠近时,它们之间发生交互作用

　　b.当电子筥含有两个电极(阳极和阴极)时,这种电路被称为二极管,1906年美国发明家Lee

　　Deforest在阴极和阳极之间加入了一个棚极(一个精细的金属丝网),此为最早的三极管,另外更

　　c.真空管尽管广泛应用于工业已有半个多世纪,但是有很多缺点,包括体积大,产生的热量大、容

　　昜烧坏而需要频繁地更換,固态器件的进展消除了真空管的缺点,真空管开始从许多电子产品的使

　　a.在C芯片制造中使用的典型半导体材料有元素半导体硅、鑑、硒半导体化合物有砷化铱GaAs)

　　b.二极管(个p-n结),当结上为正向偏压时可以导通电流,当反向偏压时则电流停止

　　c.结型双极晶体管:把两个或两个以上的p-n结组合成一个器件,导致了晶体管的出现,晶体管是

　　种能够放大信号或每秒开关电流几十亿次的器件。最初的器件使用点接触穿入绪半导体本体,随

　　后的晶体管使用錯作为半导体的结(双极)型晶体管,錯这种半导体材料后来被硅所代替;(基极B

　　e结型场效应晶体管(J-ET):电子不穿过p-n结,而是从两个p型半导体之间形成所谓的n-沟道

　　从源极向漏极流动,n-沟道作为晶体管的输出部分,而栅到源的p-n结是输入部分;

　　f金属氧化物半导体场效应晶体管( MOSFET),它是以开FET晶体管同样的原理进行工作的,但使用

　　g.互补型金属氧化物半导体场效应晶体管:当两个 MOSFET晶体管(一个是n-p-n型,另一个是

　　p-n-p型)连接在一起时,这种组合结构叫做互补型 MOSFET或互补型金属氧化物半导体场效应晶

　　体管( CMOSFET),其优点是使电路筒化(不需要负載电阻)很低的功率耗散以及产生一个与输入

　　一个集成电路(IC)芯片是把元器件连在一起的集合体,在一个单片半导体材料上制造出一个完整

　　年的工作。每门的功率与特征尺寸呈线性変化,而每个芯片的功耗P却主要受到与特征尺寸二次方

　　成反比的影响,如下式所示:P=f(频率,C,V2,『门数),其中频率为时钟频率、C为电容、V

　　生长硅锭的方法,晶锭的形状包括在籽晶端形成的一个很细的圆形缩颈(直径约3.0mm),然后是

　　大的圆柱体j6股份有限公司om target=_blank>j6股份有限公司和带有一个钝尾的端部,晶锭的长度和直径取決于轴的旋转、籽晶的提拉速度、硅熔体

　　的纯度与温度等,晶锭的尺寸有多种多样,直径从3in(75mm)到12in(300mm),最长的长度

　　b洁净度:净化间是按照1ft3(0.0283m3)空气中允许有多少直径在0.5um的颗粒物来分级的,

　　粒物,对于C制造来说,净化间的范围在1级~1000级,主要取決于工艺的需要;

　　氧化→光刻→扩散一外延一金属化→钝化一背面研磨→背面金属化一电性能辺试→管芯分割(详细

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