国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“在三维管芯堆叠中包括高热导率材料的集成电路封装”的专利，公开号CN121751730A，申请日期为2025年8月。

　　专利摘要显示，本发明题为“在三维管芯堆叠中包括高热导率材料的集成电路封装”。本文中公开了微电子组装件、相关装置和方法。在一些实施例中，一种微电子组装件可以包括：具有表面的第一管芯；第二管芯和第三管芯，第二管芯和第三管芯具有第一表面和相对的第二表面，其中，第二管芯和第三管芯的第一表面电耦合到第一管芯的表面；在第一管芯的表面上以及在第二管芯和第三管芯周围和之间的第一材料，第一材料具有非平面表面；以及在第一材料的非平面表面上并与第一材料的非平面表面以及与第二管芯和第三管芯的第二表面物理接触的层，层包括具有等于或大于10瓦特每米-开尔文（W/m-K）的热导率的第二材料。

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