寿命下降。温度每升高10℃,GaAs或Si微波电路寿命就缩短为原来的3倍[1,2]。这

　　①低的热膨胀系数,能与Si、GaAs芯片相匹配,以免工作时,两者热膨胀系数

　　1可以看出，作为芯片用的Si和GaAS材料以及用做基片的AlO、BeO等陶瓷材

　　6/K，两者的不匹配会产生较大的热应力，而这些热应力正是集成电路和基板产

　　1中所提到的三类轻质低密度电子封装材料中，氮化铝的热膨胀系数与Si十分接

　　电镀的问题。BeO的热膨胀系数与GaAs相近，也具有良好的热传导性等其他优

　　高硅铝合金电子封装材料由于具有质量轻（密度小于2.7g/cm）、热膨胀系

　　7],符合电子封装技术朝小型化、轻量化、高密度组装化方向发展的要求。另外,

　　铝硅在地球上含量都相当丰富,硅粉的制备工艺成熟,成本低廉,所以铝硅合金材

　　料成为一种潜在的具有广阔应用前景的电子封装材料,受到越来越多人的重视,特

　　2可见，利用硅和铝的单质配制的合金密度在2.3~2.7g/cm之间，热膨胀系数CT

　　6/K之间，而导热率大于100W/m·K。故用这两种胆汁材料，通过改变规律成分

　　态及分布有关,若其尺寸粗大，则所获材料性能就差[8,9]。所以，细化初晶硅和共

　　前提高45%左右，力学性能一般为160Mpa左右，不过整体力学性能还是比较低

　　生高速高频脉冲气流冲击金属液流,直接把它粉碎成细小、均匀熔滴,经强制气体

　　对流冷却凝固成细小粉末,这种制粉方法特点是粉末颗粒细小均匀,形状相对规整

　　,近似球形,粉末收得率高。热挤压热锻是通过压头冲头对预压粉末产生静水压力

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