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2026算力基建驱动AI从0→1主线端云共振”主导存储和终端创新机遇

发布时间:2026-01-06 18:50:58浏览次数:

  今天分享的是:2026算力基建驱动AI从0→1主线,端云共振”主导存储和终端创新机遇

  随着人工智能技术的快速演进,全球电子产业正迎来新一轮结构性变革。中银证券近日发布的年度策略报告指出,2026年,以算力基础设施为核心驱动力的AI发展主线将进一步明确,行业焦点将从“训练”转向“推理”,并聚焦于产业链中“从0到1”的关键技术突破。与此同时,存储供需格局持续紧张,技术创新不断加速,消费电子领域则在成本压力与创新机遇的碰撞中,寻找新的结构性增长点。

  报告认为,AI产业已进入推理需求爆发阶段,大模型处理Tokens量呈指数级增长,推动云计算服务商持续加大资本开支。在此背景下,海外GPU巨头正积极提升芯片算力与互联带宽,而专用集成电路(ASIC)也迎来发展机遇,谷歌、亚马逊等云厂商纷纷加码自研芯片。国产AI芯片厂商在自主化趋势下迎来历史性机遇,但同时也面临国际竞争加剧带来的挑战。

  AI服务器架构的迭代正引领上游材料与工艺的全面升级。高端印制电路板(PCB)需求旺盛,推动厂商积极扩产。为满足高速信号传输要求,覆铜板(CCL)材料正向低介电常数、低损耗方向发展,石英纤维布、高速超低轮廓铜箔(HVLP)、高频高速树脂等高端材料的重要性凸显。此外,先进封装产能持续紧张,光互联技术(如CPO、光交换机)因其高带宽、低延迟、低功耗的特性,成为突破电互联瓶颈、提升集群算力效率的关键方向。

  报告指出,受AI服务器对高带宽内存(HBM)等高端产品需求激增影响,存储原厂产能分配倾斜,导致消费电子用存储供应趋紧。预计2026年存储价格,尤其是NAND Flash,上涨趋势可能贯穿全年。这将对智能手机、笔记本电脑等终端产品的成本构成压力,并可能影响市场需求。

  技术层面,存储产业正经历深刻变革。DRAM技术向4F²单元架构与CMOS键合阵列(CBA)升级,以延续制程微缩。这种架构变革不仅提升了存储密度和性能,也为半导体设备及供应链带来了新的增量机会。国产存储厂商正积极跟进4F²+CBA等前沿技术,力图在全球竞争中占据一席之地。AI端侧应用(如AI手机、AI PC)与云端服务器,共同成为驱动存储市场规模增长的双引擎。

  尽管存储涨价给消费电子行业带来成本压力,导致2026年部分终端出货量可能面临下调,但结构性机遇依然存在。报告分析,头部品牌如苹果公j6国际司,可能通过更具竞争力的定价策略以及折叠屏手机、智能眼镜等创新产品,在2026年寻求市场份额的提升与增长动力的切换。

  更值得关注的是,端侧AI硬件正加速落地,为用户体验带来革新。大模型厂商与硬件企业的深度合作,推动AI手机向系统级智能演进。同时,AI眼镜等新型终端不断涌现,融合了语音交互、视觉识别和增强现实显示等功能。科技巨头在2026年对于端侧AI产品的定义与推广,有望加速市场教育,引领消费电子进入新一轮创新周期。

  综合来看,2026年电子行业的发展脉络清晰围绕AI展开。算力基础设施的持续投入是底层支撑,驱动从芯片、材料到封装、互联的全产业链升级。存储市场在供需紧张与技术迭代中寻找平衡,价格与创新共同主导周期走向。消费电子虽面临短期成本挑战,但端侧AI的实质性落地与终端产品的形态创新,正为其注入长期发展的新活力。行业整体的盈利能力与技术水平,有望在这一轮由AI驱动的上行周期中得到进一步提升。