作为国内半导体材料领域的领军企业，公司始终专注于关键电子化学品的自主研发与产业化应用。经过多年努力，公司已构建起覆盖半导体全产业链的材料解决方案，逐步取代国外材料公司成为半导体封装电镀化学品领域的国内主力供应商，逐步向晶圆制造、显示面板及IC 载板等领拟域延伸，形成了电镀液及配套试剂、光刻胶及配套试剂两大业务板块。公司是国内少数能同时覆盖半导体封装、晶圆制造和半导体显示的全链条电子材料公司。

　　投建项目名称：艾森集成电路材料华东制造基地项目（项目名称暂定） 项目实施主体：公司拟设立全资子公司南通艾森芯材科技有限公司（暂定名，以工商核名为准，以下简称“艾森芯材”）作为项目实施主体。

　　项目投资金额：预计项目投资总额 20 亿元，最终投资金额以项目建设实际投入为准。

　　项目时间安排：项目分两期建设，一期预计 2028 年投产；二期预计 2030 年投产。整体项目预计于 2035 年达产。

　　政策风险：本投资项目的实施，尚需申请国有土地使用权招投标以及办理立项、环评等行政报批手续；拟作为项目实施主体的全资子公司系新设，尚需市场监管部门注册批准，审批结果存在一定不确定性。公司将持续关注国家与地方产业政策动向，降低因政策环境变化可能导致的项目延期、变更及中止风险。

　　资金筹措风险：本项目投资金额较大，资金来源包括自有及自筹资金，后续公司根据项目的实施情况可能采取债权或股权融资等方式，相关资金筹措存在一定不确定性。公司将强化资金统筹与现金流管理，保障资金供给稳定。

　　收益不达预期风险：本项目建成后，每年相应的固定资产折旧费用将增加，若项目管理不善或产品市场开拓不力，可能导致不能如期产生效益或实际收益低于规划目标。公司将通过分期投入、模块化建设、持续优化产品布局及工艺等方式，提升项目盈利能力和抗风险水平。

　　综上，本次投资存在相关风险，涉及的投资规模、建设周期等均为计划数或预估数，存在不确定性，亦不构成对投资者的承诺。针对上述风险，公司将依托自身积累的技术及产业经验与管理优势，全面加强各环节内部控制与风险防范，切实保障本次投资的安全性与收益性。

　　根据江苏艾森半导体材料股份有限公司（以下简称“公司”）的整体战略布局及经营发展的需要，加快推进产能布局的落地实施，更有效配合市场需求，完善产业布局，公司拟在南通市经济技术开发区设立全资子公司，投资建设艾森集成电路材料华东制造基地项目,并与南通市经济技术开发区管理委员会签署相关投资协议。

　　预计项目投资总额为人民币 20 亿元（最终投资金额以项目建设实际投入为准），总规划土地约 159 亩（具体以土地使用权出让合同为准），建设年产 23,000吨集成电路材料生产线。项目分两期建设，规划产品包括半导体用光刻胶及配套树脂、电镀液、高纯试剂等。资金来源为公司自有及自筹资金，后续公司根据项目的实施情况可能采取债权或股权融资等方式。

　　在电镀液及配套试剂领域，公司已完成从跟随者到引领者的角色转变。通过持续的技术创新，产品性能指标已达到国际一流水准，部分关键参数实现行业领先，成功打破国外厂商长期垄断的市场格局。目前，公司电镀液产品已构建起丰富且极具竞争力的产品矩阵，在传统封装和先进封装领域均实现了全品类覆盖，并成功实现晶圆 28nm、5nm 先进制程等高端应用领域的市场突破。

　　电镀液是半导体制造过程中的核心材料之一，由主盐、导电剂及多种电镀添加剂组成，其中电镀添加剂是决定电镀性能的关键因素。随着器件尺寸的不断缩小和封装技术的快速演进，针对不同应用领域的电镀产品在配方与性能上都需要精确匹配。公司提供覆盖传统封装、先进封装、晶圆制造及 IC 载板、HDI 领域的全系列解决方案。传统封装领域，公司的电镀液产品主要应用于芯片引脚表面镀锡，主要为基于甲基磺酸的电镀体系。

　　作为业务起点，公司传统封装用电镀液产品已完成全面国产化替代。引脚线镀锡电镀液系列产品市场占有率持续领先，确立了公司在传统封装材料市场的主导地位。先进封装领域，随着集成电路中互连层数、先进封装中对 RDL 和铜柱结构使用的增加，铜互连材料需求将持续增长。

　　同时随着 HBM 封装、2.5D/3D 集成封装、CoWoS 封装、混合键合（HybridBonding）以及玻璃基板封装等尖端封装形式出现，通过硅通孔（TSV）、再布线层（RDL）、微凸点（Bumping）和玻璃通孔（TGV）等核心工艺技术实现更高的集成度与性能。公司前瞻性地布局了覆盖主流先进封装工艺的完整材料解决方案，已构建起匹配上述核心工艺的全系列产品矩阵。

　　公司电镀锡银添加剂（包括超低α粒子的锡浓缩液、锡阳极）小批量稳定量产中，在多家头部客户同步验证中；高纯硫酸铜基液已实现先进封装头部客户的稳定供应，电镀铜添加剂处于关键批次稳定性验证阶段；公司 TSV 电镀添加剂及适用于 Bumping 与 RDL 工艺的电镀添加剂、TGV工艺高速镀铜添加剂在客户端测试验证中。

　　晶圆制造领域，随着全球半导体产业加速向 5nm 及以下先进制程演进，晶圆制造关键材料国产替代需求持续攀升，大马士革工艺是实现高密度铜互连的核心技术。公司大马士革电镀铜添加剂覆盖 7–55nm 节点，确保铜互连具有优异的填充能力与低缺陷率，公司28nm 大马士革铜互连工艺镀铜添加剂产品已经通过主流晶圆客户的认证，进入量产阶段。

　　针对5–14nm 节点互连阻抗和可靠性要求更高的趋势，公司硫酸钴电镀液提供更高的电迁移耐受性与界面稳定性，5-14nm先进制程的超高纯硫酸钴基液和添加剂在客户端测试进展顺利；TSV 工艺高速镀铜添加剂配合设备商进行客户的 baseline 验证。IC 载板、HDI 领域，随着 AI 芯片、汽车电子驱动先进封装需求，高端载板市场将持续扩容，包括 IC 载板及 SLP。公司精准把握这技术升级与国产替代的双重市场机遇，将电镀铜产品逐步推向 HDI、SLP、IC 载板应用领域，有效提高国产化率。

　　公司 Tenting 快速填孔镀铜产品已成功导入头部 HDI 和 SLP 供应链，实现批量供货。IC 载板作为芯片与系统之间关键连接，其电镀工艺要求兼具高均匀性与精细图形能力，公司高均匀性电镀液专为载板电镀设计，可同时满足微孔填充与图形电镀的双重需求，提升产品一致性和良率。公司 MSAP 用电镀配套试剂已在IC 载板客户端实现批量供货，MSAP 用 Pattern 填孔镀铜产品目前正处于 IC 载板客户端测试阶段。凭借跨领域的完整产品组合，公司能够在不同制程节点和封装形式下为客户提供稳定、优异的电镀性能支持，助力半导体产业向更高性能、更高集成度持续迈进。

　　集成电路或电子元件在进入电镀前的加工处理和清理工序总称为电镀前处理。公司提供的电镀前处理化学品包括祛毛刺液、除油剂、活化剂等。在电镀后的加工处理和清理工序总称为电镀后处理。公司提供的电镀后处理化学品包括中和剂、退镀剂等。晶圆制造大马士革铜互联制程中，大马士革电镀后通过 CMP（化学机械研磨）平坦化，研磨后需要清洗表面去除研磨粒子和其他颗粒。公司应用在技术节点 28nm 及以上铜制程清洗液已进入量产放大阶段；新一代 PCMP 产品应用于技术节点 28nm 以下的铜/钴先进制程清洗液在客户端验证阶段。

　　公司构建了从特色光刻胶、光刻胶核心原材料到配套试剂的完整研发体系，产品覆盖半导体全产业链应用场景，多项技术填补国内空白。

　　根据应用领域，光刻胶可分为 PCB 光刻胶、显示面板光刻胶和集成电路光刻胶（可进一步细分为先进封装和晶圆制造），其技术壁垒依次提升。国产光刻胶发展起步较晚，与国外先进光刻胶技术相比，国内产品仍有较大差距，目前主要集中在 PCB 光刻胶、TFT-LCD 光刻胶等产品，国内集成电路光刻胶及 OLED 显示面板光刻胶仍由国外企业占据主导地位。

　　公司以先进封装负性光刻胶、晶圆制造 PSPI 以及 OLED 阵列制造用光刻胶等特色工艺光刻胶为突破口，覆盖晶圆制造、先进封装及显示面板等应用领域，成功打破国外垄断，并逐步向先进制程延伸，如 ICA 化学放大光刻胶、KrF 光刻胶。先进封装应用，公司先进封装用 g/i 线正性光刻胶和 Bumping 负性光刻胶已覆盖多家主流封装客户，市场份额持续提升。

　　在未来的 2-3 年，公司将进一步丰富产品型号，以实现全品类覆盖，不断巩固和扩大在该领域的市场份额，目标成为国内先进封装光刻胶和PSPI 的主力供应商。目前公司负性光刻胶已成功拓展应用到玻璃基封装，获得头部客户量产订单。介电层/缓冲防护层应用负性 PSPI 和低温固化负性 PSPI 在客户端验证进展顺利。

　　晶圆制造应用，正性 PSPI 光刻胶目前小量产中，同步在多家晶圆客户验证；超高感度PSPI（化学放大型）在主流晶圆客户可靠性验证阶段；晶圆 ICA 化学放大光刻胶在客户端验证测试顺利，部分指标优于国际厂商对标产品；公司已组建国内外专家团队布局KrF 光刻胶产品，公司高厚膜高深宽比 KrF 光刻胶（深宽比达 13:1）目前处于实验室研发阶段，力求填补国内空白。半导体显示应用，公司 OLED 阵列用高感度 PFAS Free 正性光刻胶，已顺利通过了头部面板客户的验证，并且正处于多家 OLED 显示客户端的同步验证阶段。

　　先进封装要求在晶圆划片前融入封装工艺步骤，具体包括晶圆研磨薄化、线路重排（RDL）、凸块制作（Bumping）及硅通孔（TSV）等工艺技术，涉及与晶圆制造相似的涂胶、显影、去胶、蚀刻等工序步骤。公司应用于先进封装领域光刻胶配套试剂已形成规模化供应，主要产品包括附着力促进剂、显影液、蚀刻液、去除剂等。在晶圆制造领域用于光刻胶干法蚀刻后残留物去除的清洗液（PERR），应用于先进技术节点，适用铜/钴互联制程，正在晶圆客户端验证中。

　　感光树脂构成光刻胶的基本骨架，主要决定曝光后光刻胶的基本性能，包括硬度、柔韧性、附着力、曝光前和曝光后对特定溶剂的溶解度。公司光刻胶用树脂由公司树脂研发团队开发，保证后续产品供应的自主可控和稳定性。公司自研光刻胶用树脂包括负性光刻胶的丙烯酸树脂，化学放大光刻胶和 KrF 光刻胶的聚对羟基苯乙烯树脂，PSPI 光刻胶的聚酰胺酯/聚酰胺酸/PBO树脂，TSV 等特殊应用的化学放大光刻胶酚醛改性树脂等。

　　公司具备光刻胶树脂的供应能力，形成了从树脂分子结构设计、合成、纯化、光刻胶配方开发到工艺验证的完整全链条研发和制造体系。

　　除电子化学品外，公司还可以提供电镀工艺配套的锡球、镍饼等阳极金属材料及阳极袋、退镀用胶条等辅材，以满足客户的整体需求。公司销售的锡球主要采用外协加工模式。

　　公司董事会同意公司在南通市经济技术开发区设立全资子公司，投资建设艾森集成电路材料华东制造基地项目。该项目具体情况以最终签署的相关文件及政府主管部门审批及备案为准。为确保本项目尽快启动并顺利开展，同意提请股东会授权公司管理层及其授权人员负责具体办理与本次对外投资有关的一切事项，包括但不限于就该投资项目进行谈判、根据审议通过的项目方案签署与该投资项目相关的协议、办理成立全资子公司的相关事项、申报相关审批手续、组织实施等。前述事项尚需提交公司股东会审议。

　　许可项目:危险化学品生产；危险化学品经营；危险化学品仓储（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动，具体经营项目以审批结果为准）；

　　一般项目: 电子专用材料研发；电子专用材料制造；电子专用材料销售；化工产品生产(不含许可类化工产品)；化工产品销售(不含许可类化工产品)；专用化学产品制造经营范围 （不含危险化学品)；专用化学产品销售(不含危险化学品)；金属材料销售；金属链条及其他金属制品销售；货物进出口；技术进出口；非居住房地产租赁；技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广；工程和技术研究和试验发展；新材料技术研发；半导体器件专用设备制造；资源再生利用技术研发；资源循环利用服务技术咨询（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）。

　　乙方拟在南通市经济技术开发区获取项目用地，并建设“艾森集成电路材料华东制造基地”项目，建设年产 23,000 吨集成电路材料生产线。产品包括半导体用光刻胶及配套树脂、电镀液、高纯试剂等。

　　项目计划总投资人民币 20 亿元，其中固定资产投资约人民币 17 亿元（设备投资约人民币 12 亿元）。

　　乙方拟按法定流程取得项目用地。项目地块位于南通市经济技术开发区江河路南、通达路东。项目总规划约 159 亩。具体以土地使用权出让合同为准。

　　乙方于 2026 年 3 月底前在南通市经济技术开发区注册成立项目新公司作为项目运营主体（以下简称“新公司”），新公司注册资本 2 亿元，以现金出资，自新公司注册成立之日起六个月内到账不低于 3,000 万元，自新公司注册成立之日起 5 年内缴足全部注册资本。

　　一期项目在取得项目用地使用权后 3 个月内开工建设，于开工后 15 个月内竣工，2028 年投产；二期项目在一期项目竣工后 6 个月内开工建设，于开工后12 个月内竣工，2030 年投产。整体项目于 2035 年达产。非因乙方原因造成项目进程延误的，双方另行协商后续安排。

　　在完成项目相关的审批/备案程序的前提下，项目设定相应的销售收入及税收指标。同时，为鼓励项目发展，甲方根据相关政策文件精神，为乙方及新公司在满足条件时申报各类扶持政策等提供支持和协助（各类扶持政策的审核标准及兑现流程等以最新政策文件为准）。

　　相关扶持、奖励等措施，均以乙方及新公司完成协议约定义务（包括但不限于项目投资、项目进程、项目指标、经营期限等）为前提。如因乙方或新公司自身原因导致项目后期经营状况出现较大差距的，应立即主动整改。如经甲方催告仍未采取合理有效的整改措施的，或经整改仍无法改善经营状况、完成各项义务的，甲方有权对已兑现及未兑现各项扶持、奖励等措施进行调减、收回，乙方及新公司有义务予以配合。

　　甲方积极协助乙方办理新公司注册、项目报建以及项目建设运营过程中的相关手续。甲方积极协助乙方完成项目用地挂牌出让程序并配合乙方依法办理相关手续。土地使用相关事宜以乙方另行签订的土地使用权出让合同及土地交付合同为准。

　　（1）乙方按时完成资本注册、资金投入，积极推进项目建设，乙方及新公司对甲方提供的扶持、奖励等措施，全部安排使用于本项目建设，并确保项目按期开工建设、投产运营、达产达效，完成项目指标。

　　（3）乙方项目在南通开发区经营期限不少于 20 年，乙方根据发展情况拟撤资、减资的，与甲方协商一致后依法依规办理。

　　如公司未能根据双方约定取得项目用地，则本协议终止，双方无需就本协议的终止向对方承担违约责任。如公司在本协议签署之日起 3 个月内未就本项目进行项目备案（或核准）和前期环保评估、安全评估、能源评估，或上述备案（或核准）和评估之一不能通过有关部门批准的,双方可就项目进程进行另行协商顺延。

　　基于公司整体战略布局及经营发展的需要，围绕公司目前的客户和市场结构，为加快推进产能布局的快速落地，完善产业布局，并推动公司业务的合理、适当延伸，公司拟投资建设集成电路材料华东制造基地项目。本项目拟在南通市经济技术开发区购置土地建设新的生产基地。该制造基地建成后，将进一步提高公司的产能，以支撑公司光刻胶、电镀液及配套试剂等高端电子化学品未来的产业化需求，从而推动公司业务规模的持续增长，提升公司整体竞争力和盈利能力。

　　公司本次对外投资的资金来源为公司自有资金或自筹资金，公司目前财务状况良好，预计不会对公司的正常生产及经营产生不利影响，不存在损害公司及股东利益的情形。本项目尚处于筹划阶段，考虑到本次投资采取购地新建厂房的方式实施，存在较长的施工建设等准备周期，短期内不会对公司财务状况及业绩带来重大收益。

　　政策风险：本投资项目的实施，尚需申请国有土地使用权招投标以及办理立项、环评等行政报批手续；拟作为项目实施主体的全资子公司系新设，尚需市场监管部门注册批准，审批结果存在一定不确定性。公司将持续关注国家与地方产业政策动向，降低因政策环境变化可能导致的项目延期、变更及中止风险。

　　资金筹措风险：本项目投资金额较大，资金来源包括自有及自筹资金，后续公司根据项目的实施情况可能采取债权或股权融资等方式，相关资金筹措存在一定不确定性。公司将强化资金统筹与现金流管理，保障资金供给稳定。

　　收益不达预期风险：本项目建成后，每年相应的固定资产折旧费用将增加，若项目管理不善或产品市场开拓不力，可能导致不能如期产生效益或实际收益低于规划目标。公司将通过分期投入、模块化建设、持续优化产品布局及工艺等方式，提升项目盈利能力和抗风险水平。

　　综上，本次投资存在相关风险，涉及的投资规模、建设周期等均为计划数或预估数，存在不确定性，亦不构成对投资者的承诺。针对上述风险，公司将依托自身积累的技术及产业经验与管理优势，全面加强各环节内部控制与风险防范，切实保障本次投资的安全性与收益性。返回搜狐，查看更多