Al是半导体(dǎotǐ)集成电路中最常用的薄膜导体(dǎotǐ)材料，

　　电子器件和集成电路的密封材料主要是陶瓷和塑料。最早用于封装的材料是陶瓷和金属，

　　随着电路密度和功能的不断提高(tígāo)，对封装技术提出了更多更高的要求，从过去的金

　　属和陶瓷封装为主转向塑料封装。至今，环氧树脂系密封材料占整个电路基板密封材料的

　　树脂密封材料的组成为环氧树脂(基料树脂及固化剂)、填料(二氧化硅)、固化促进剂、偶

　　联剂(用于提高(tígāo)与填料间的润湿性和粘结性)、阻燃剂、饶性赋予剂、着色剂、离子

　　捕捉剂(腐蚀性离子的固化)和脱模剂等。目前，国外80％～90％半导体器件密封材料(日本

　　Al2O3陶瓷基片由于原料丰富、强度(qiángdù)、硬度高、绝缘性、化学稳定性、与金属附着

　　性良好，是目前应用最成熟的陶瓷基封装材料。但是Al2O3热膨胀系数和介电常数比Si高，热导率

　　AlN具有优良的电性能和热性能，适用于高功率，多引线和大尺寸封装。但是AlN存在烧结温度

　　SiC陶瓷的热导率很高，热膨胀系数较低，电绝缘性能良好，强度(qiángdù)高。但是SiC介电常

　　耐热性和耐化学腐蚀性好、吸水率低，成型(chéngxíng)工艺性好等特点

　　密度为2.4-2.5g/cm3, 可用于微波线路、光电转换器和集成线路的封

　　提高Si含量,可降低热膨胀系数(péng zhàng xìshù)和合金密度,但

　　合金的热导率和热膨胀系数(péng zhàng xìshù)较高, Si颗粒较小的合

　　C纤维的纵向热导率高（1000W/(m·k)），热膨胀系数很小（-1.6×10-

　　6K-1因），此Cu/C纤维封装材料具有优异的热性能。对于(duìyú)Cu/C纤维

　　,Cu/C 纤维封装材料的界面结合是以机械结合为主的物理结合, 界面结合较弱

　　题,以实现界面的良好结合。此外,C纤维价格昂贵，而且Cu/C纤维封装材料

　　)和被连接材料(如印刷电路板、电子元器件等)以及(yǐjí)连接后清洗所

　　2.)满足球栅阵列(BGA)、芯片级(CSP)、多芯片组件（MCM）等先

　　3.)无卤、锑元素,绿色环保,适用于无铅焊料(hànliào)工艺的高温

　　和集成化的方向发展。轻质、高导热和CTE匹配的Si/Al、SiC/Al合金