随着电子封装行业向高密度、高功率方向发展，开发具有良好导热能力的材料，同时又能满足热膨胀性能的要求称为当务之急。电子封装作为电路器件的一个必不可少的组成部分，起着电路支撑、密封、散热和屏蔽等作用，对电路的性能和可靠性具有重要影响。

　　现有硅芯片的热膨胀系数为4×10-6/k，随着芯片集成度的不断提高，要求电子封装材料具有高热导率和低膨胀率，铝硅电子封装材料具有热膨胀系数小，热导率高，密度小，易加工等特点，因此在尺寸精度要求高的电子封装领域具有较好的前景。

　　用于电子封装材料的硅铝合金，主要由硅和铝两种元素构成，但为了提高性能会添加其他元素，如磷、镁等，含量较少；然而硅铝合金中含有大量的硅，使其冶金和凝固特性变差，造成材料变脆、韧性差，不能满足电子封装的要求。

　　本发明的目的是为了解决上述技术问题，而提供一种铝合金电子封装材料及其制备方法，从而实现电子封装材料制备成本降低，综合性能好。为了达到上述目的，本发明技术方案如下：

　　具体的，包括以下合金元素的质量百分比，硅铝合金93％，铜0.1％，锰0.07％，锌0.1％，铬0.04％，钛0.05％，铜0.2％，锆0.13％，稀土0.1％，钼1.5％，镁4.71％。

　　s1，将硅铝合金，铜，锰，锌，铬，钛，铜，锆，稀土，钼投入熔炼炉内熔炼，熔炼温度730-760℃；

　　s2，再投入镁，投入温度控制在760-770℃，然后转入保温炉715-725℃保温；

　　s6，均质化处理及热轧，将板锭加热至590-610℃，保温4-5h，炉内降温至500-520℃，保温4-5h，出炉热轧，热轧温度控制在320℃以上；

　　s7，冷轧及中间退火，冷却热轧板至室温，中间退火温度控制在250-310℃，保温时间12-14h，出炉冷却至室温进行冷精扎，扎制呈成品厚度。

　　具体的，还包括步骤9：成品退火，将成品放入惰性气体保护下进行退火，退火温度330-340℃，保温时间22-24h。

　　与现有技术相比，本发明铝合金电子封装材料及其制备方法的有益效果主要体现在：该成分配方再辅以铸造工艺，可以获得良好的硅铝合金电子封装材料，工艺简化，成型效率高；采用稀土元素的作用，成本降低，提高性能。

　　下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。

　　铝合金电子封装材料，包括以下合金元素的质量百分比，硅铝合金90％，铜0.13％，锰0.01％，锌0.15％，铬0.02％，钛0.07％，铜0.15％，锆0.15％，稀土0.04％，钼2％，余量为镁。

　　铝合金电子封装材料，包括以下合金元素的质量百分比，硅铝合金96％，铜0.06％，锰0.1％，锌0.08％，铬0.06％，钛0.03％，铜0.25％，锆0.1％，稀土0.16％，钼1％，余量为镁。

　　铝合金电子封装材料，包括以下合金元素的质量百分比，硅铝合金93％，铜0.1％，锰0.07％，锌0.1％，铬0.04％，钛0.05％，铜0.2％，锆0.13％，稀土0.1％，钼1.5％，镁4.71％。

　　s1，将硅铝合金，铜，锰，锌，铬，钛，铜，锆，稀土，钼投入熔炼炉内熔炼，熔炼温度730-760℃；

　　s2，再投入镁，投入温度控制在760-770℃，然后转入保温炉715-725℃保温；

　　s6，均质化处理及热轧，将板锭加热至590-610℃，保温4-5h，炉内降温至500-520℃，保温4-5h，出炉热轧，热轧温度控制在320℃以上；

　　s7，冷轧及中间退火，冷却热轧板至室温，中间退火温度控制在250-310℃，保温时间12-14h，出炉冷却至室温进行冷精扎，扎制呈成品厚度。

　　s9：成品退火，将成品放入惰性气体保护下进行退火，退火温度330-340℃，保温时间22-24h。

　　上述实施例中成分配方再辅以铸造工艺，可以获得良好的硅铝合金电子封装材料，工艺简化，成型效率高；采用稀土元素的作用，成本降低，提高性能；优化了各组份的含量范围，在铸造条件下，可获得较好合金显微组织和性能。

　　以上所述的仅是本发明的一些实施方式。对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。

　　本发明揭示了铝合金电子封装材料，包括以下合金元素的质量百分比，硅铝合金90‑96％，铜0.06‑0.13％，锰0.01‑0.1％，锌0.08‑0.15％，铬0.02‑0.06％，钛0.03‑0.07％，铜0.15‑0.25％，锆0.1‑0.15％，稀土0.04‑0.16％，钼1‑2％，余量为镁。本发明电子封装材料制备成本降低，综合性能好。

　　针对传统电子封装材料密度高、导热性差等问题，提出一种结合铸造、快速凝固和热压成型的高硅铝合金制备方法。通过传统铸造获得板材，利用甩带机快速凝固细化晶粒，再经热压成型实现致密化，显著提升材料导热...

　　针对高硅铝合金制备中初晶硅粗化、孔隙缺陷及高成本问题，提出采用铸轧工艺结合超声处理的解决方案。通过快速冷却和深过冷度细化初晶硅，提升材料致密性与力学性能，实现高硅含量薄板的高效制备。 ...

　　针对喷射成形AlSi50合金粉末因粒径分布广、表面氧化等问题难以高效利用的问题，提出通过筛分分级、多级混合、退火软化及温等静压压制等工艺，将废弃粉末直接转化为高性能锭坯。该方法避免重熔工序，降...

　　针对传统梯度铝硅材料制备工艺复杂、效率低的问题，提出采用激光熔覆技术结合快速凝固甩带材料的创新方法。通过逐层堆积不同硅含量的甩带材料，实现组元梯度分布，显著提升成型速度与厚度控制精度，同时具备...

　　针对传统AlSiC复合材料存在界面相容性差、导热不稳定及抗弯折性不足的问题，提出通过引入石墨纤维构建线状散热路径，结合纳米硼酸镧改性界面、添加硼化二钼等增强组分，有效提升材料导热性、降低热膨胀...

　　1. 金属材料表面改性技术 2. 超硬陶瓷材料制备与表面硬化 3. 规整纳米材料制备及应用研究

　　1.数字信号处理 2.传感器技术及应用 3.机电一体化产品开发 4.机械工程测试技术 5.逆向工程技术研究

　　1.精密/超精密加工技术 2.超声波特种加工 3.超声/电火花复合加工 4.超声/激光复合加工 5.复合能量材料表面改性 6.航空航天特种装备研发

　　1. 先进材料制备 2. 环境及能源材料的制备及表征 3. 功能涂层的设计及制备 4. 金属基复合材料制备