7月23日，JX金属宣布，将向位于韩国京畿道平泽市的JX Advanced Metals Korea投资约40亿日元，扩充半导体用溅射靶材加工能力。

　　新增产线将导入集团已经在其他生产基地验证的自动加工设备，并同步建设配套设施。项目计划于2027财年下半年起分阶段运行，届时韩国基地的加工能力将达到2025财年的约2倍。

　　JX金属表示，其半导体用溅射靶材用于先进逻辑、HBM和3D NAND等器件制造。韩国基地承担靶材后段加工、销售及技术支持，可就近服务韩国存储和半导体客户。

　　工艺过程中，等离子体中的离子轰击靶材表面，使靶材原子脱离并沉积到晶圆上，形成金属薄膜、阻挡层、种子层、栅极或其他功能膜层。

　　JX金属的铜靶材纯度可达到6N，即99.9999%以上，主要用于铜互连种子层、UBM和TSV；钽靶材主要用于铜互连阻挡层；钛靶材则用于阻挡层、硬掩模、栅极和封装互连。

　　材料纯度、晶粒尺寸、内部组织、表面状态和靶材与背板的结合质量，都会影响沉积均匀性、颗粒数量和设备运行稳定性。先进芯片对缺陷的容忍度不断下降，使高纯化和颗粒控制成为靶材的核心壁垒。

　　韩国是全球存储半导体的主要生产基地，拥有大规模DRAM、HBM和NAND制造能力。

　　JX金属韩国基地负责半导体靶材的后段加工，并同时配置销售和技术支持团队。与客户相邻布局，可以缩短交货周期，及时调整产品尺寸、表面处理和设备适配方案，也有利于建立安全库存及紧急供货能力。

　　本轮扩产并非增加上游金属冶炼能力，而是扩大靠近客户的精密加工能力。靶材在完成高纯金属制备、熔炼、锻造或粉末冶金后，还需经过：

　　随着HBM和3D NAND产能扩大，客户不仅需要更多靶材，也要求供应商维持更高的交付稳定性和批次一致性。

　　HBM需要将多颗DRAM裸片通过TSV和先进封装连接，涉及晶圆互连、种子层、阻挡层、UBM以及封装金属化。3D NAND则通过持续增加堆叠层数提高存储密度，需要更多沉积、刻蚀和金属互连步骤。

　　JX金属将产品明确指向HBM和3D NAND，说明先进存储扩产已开始推动关键薄膜材料供应商进行区域性产能准备。

　　靶材加工需要对大型高纯金属部件进行精密切削、表面处理和检测。人工操作比例过高，可能影响加工效率、产品一致性和生产追溯。

　　JX金属此次将导入集团内部已经验证的自动加工设备，反映半导体材料生产也在向更高自动化程度演进。

　　对于材料供应商而言，竞争已经不只是能否制造高纯金属，而是能否稳定、快速并规模化地将材料加工成适配不同PVD设备的产品。

　　JX金属的半导体靶材上游制造主要位于日本，后段加工则布局在日本、韩国、中国台湾和美国。

　　2026年6月，公司宣布对中国台湾靶材加工产线实施自动化投资；美国亚利桑那基地也将根据需求扩大加工能力；日本茨城县的日立那珂薄膜材料工厂正在扩充靶材生产设施。

　　这种布局反映半导体材料供应链正在形成“集中制造＋区域加工和服务”的模式：

　　JX金属在铜、钛、钽、钨及多种合金靶材方面形成产品组合，并配置300mm晶圆溅射和晶圆表面检测设备，用与客户相近的条件进行材料评价。

　　因此，该市场具有认证时间长、更换供应商风险高和客户黏性强的特点。价格是采购因素之一，但稳定良率和供应安全通常更为关键。

　　JX金属在韩国扩充加工能力，并同步推进日本、中国台湾和美国基地建设，表明半导体材料企业正由产品出口模式转向贴近主要晶圆制造集群的本地化服务模式。未来，能够掌握上游原料、核心制造、全球加工、客户验证和回收再利用的供应商，将在先进半导体材料体系中获得更高战略价值。

　　第一，市场增长的核心并非单纯“晶圆扩产”，而是薄膜层数增加与材料规格升级的双重驱动。 根据QYResearch数据，2025年全球半导体溅射靶材市场规模约为23.27亿美元，预计2032年达到36.70亿美元，2026—2032年CAGR约为6.82%，整体呈现稳定增长、高端产品增速快于行业平均的特征。溅射靶材作为PVD工艺中的关键消耗材料，覆盖互连、阻挡层、种子层、栅极、硬掩模、UBM、TSV及先进封装金属化等环节；随着先进逻辑线宽缩小、HBM堆叠层数提升、3D NAND纵向层数增加以及Chiplet和2.5D/3D封装扩大，单片晶圆对应的沉积步骤、薄膜复杂度和质量控制要求同步提高。未来需求增量将更多集中于6N级铜、高纯钽、钛、钴、钨、钌及铜锰等先进材料，而低颗粒、晶粒及织构控制、面内均匀性和靶材全寿命稳定性将成为客户选型的重要指标。JX Advanced Metals公开产品已覆盖互连阻挡层、硬掩模、栅极、UBM和TSV，并明确将半导体靶材用于HBM布线；Materion的高纯钽靶则直接面向先进逻辑、DRAM和3D NAND。

　　第三，产品结构仍以金属靶材为主，但未来价值增量将更多来自合金化、功能化和供应链服务能力。目前金属溅射靶材约占65%，主要包括Cu、Ta、Ti、Al、W、Co、Ni及Ru等材料，广泛应用于互连、阻挡层、种子层、栅极和电极；合金靶材约占20%，包括CuMn、AlCu、TiW、WSi及AlSc等，其增长主要由电迁移改善、功函数调控、压电薄膜和先进封装功能层推动；非金属靶材约占15%，包括Si、SiO₂、

　　BST、PZT及其他陶瓷或化合物材料，主要服务于绝缘层、硬掩模、存储电容、MEMS及特殊功能薄膜。从竞争演进看，先进客户的关注点已经从“纯度是否达标”转向“批次一致性、颗粒水平、设备匹配、靶材寿命、全球本地加工、回收闭环和应急保供”的综合能力，头部企业通过高纯原料一体化、微观组织控制、300 mm设备验证、区域加工中心和废靶回收强化客户黏性。Linde AMT强调高纯铜、钽、铝、钨和钛靶材的垂直整合及全生命周期管理，Materion和JX Advanced Metals也已将靶材回收、区域服务和稳定供应纳入核心竞争体系。

　　更多行业资讯参考报告《全球及中国半导体溅射靶材市场现状及发展研究 2026-2032》